| 发明名称 | SiC MOSFET结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种SiC MOSFET结构及其制造方法，在原SiC沟道区的基础上形成SiC-SiGe堆叠沟道结构，同时形成SiGe源区和SiGe漏区，利用SiC、SiGe之间的晶格位错增大沟道区应力，提高沟道区载流子迁移率；进一步的，在原SiC沟道区的基础上形成SiC-SiGe-Si堆叠沟道结构，增强沟道应力，在通过在SiC沟道区注入氮、氟等离子来改善SiC沟道区的界面缺陷，抑制源区和漏区的Ge扩散，改善短沟道效应，增大载流子迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN103390634A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201210143467.2 | 申请日期 | 2012.05.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种SiC MOSFET结构，包括栅极、源区、漏区、沟道及衬底，其特征在于，所述源区和漏区为SiGe材料，所述沟道包括沿所述衬底至所述栅极方向堆叠的SiC层和SiGe层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||