一种发光二极管的开路保护器

摘要

一种发光二极管的开路保护器，属于电子技术领域。包括分立或集成的IGBT器件、齐纳二极管和电阻；所述齐纳二极管的阳极与IGBT器件的阳极电位相连，齐纳二极管的阴极与IGBT器件的栅极相连，电阻连接于IGBT器件的栅极和阴极之间。当发光二极管正常工作时，与之并联的开路保护器两端的电压较低，IGBT的MOS沟道关断，整个开路保护器处于关断状态；当发光二极管开路时，与之并联的开路保护器两端电压迅速升高，IGBT的MOS沟道开启，IGBT导通，流过P-基区的正向电流使寄生的晶闸管开启并进入闩锁状态，从而为发光二极管提供开路保护。开路保护结构进入闩锁状态后，开路保护结构两端的电压迅速降低，即使没有栅控电压也能维持闩锁状态。本发明具有启动快、功耗低的特点。

主权项

一种发光二极管的开路保护器，包括集成于同一芯片上的一个IGBT器件、一个齐纳二极管（D或24）和一个电阻（R或23）；其特征在于，齐纳二极管（D或24）的阴极与IGBT器件的阳极电位相连，齐纳二极管（D或24）的阳极与IGBT器件的栅极相连，电阻（R或23）连接于IGBT器件的栅极和阴极之间； 所述IGBT器件是平面型或沟槽型IGBT器件，其阳极结构是电场终止结构、透明阳极结构或短路阳极结构；所述IGBT器件包括P+衬底（12）、P+衬底（12）背面的金属化阳极（11）、P+衬底（12）正面的N‑漂移区（13）、N‑漂移区（13）中的P‑基区（14）、并排位于P‑基区（14）中且与金属化阴极（22）相连的第一N+接触区（15）和P+接触区（16）、覆盖P‑基区（14）表面的栅氧化层（17）、覆盖栅氧化层（17）表面的多晶硅栅电极（18）、位于多晶硅栅电极（18）和金属化阴极（22）之间的绝缘介质（19）；远离P‑基区（14）的N‑漂移区（13）中具有将金属化阳极电位引到器件表面的第二N+接触区（20），第二N+接触区（20）的表面是金属层（21），多晶硅栅电极（18）延伸至金属化阴极（22）和第二N+接触区（20）表面的金属层（21）之间以便于器件连接用；所述齐纳二极管（D或24）的阴极与IGBT器件的第二N+接触区（20）表面的金属层（21）相连。