| 发明名称 | 射频识别元件及其实现方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种射频识别元件及其实现方法，该方法通过在支撑装置上真空沉积至少一种导体材料来实现射频识别元件。本发明旨在一种允许低成本制造性能良好且分立的射频识别元件的实施方法。为此，本发明提出使用真空沉积技术来在预先涂覆有接合涂层例如漆层的支撑装置上实现天线。更具体地，本发明的目的在于一种实现至少一个射频识别元件的实现方法，包括：通过在支撑装置(2)的接纳表面上真空沉积至少一种导体材料(10)来在支撑装置(2)上实现天线(8)，其特征在于，接纳表面的至少一部分预先涂覆有接合涂层(6)。 | ||
| 申请公布号 | CN101952841B | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN200980106022.3 | 申请日期 | 2009.01.22 |
| 申请人 | 塔戈奥斯公司 | 发明人 | 马蒂厄·皮康;洛朗·德拉比;布里斯·索尔利;弗雷德里克·帕斯卡-德拉努瓦;阿兰·富卡朗 |
| 分类号 | G06K19/077(2006.01)I | 主分类号 | G06K19/077(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李春晖;李德山 |
| 主权项 | 一种实现至少一个射频识别元件的方法，包括通过在支撑装置(2)的接纳表面(2a)上真空沉积至少一种导体材料(10)来在支撑装置(2)上实现至少一个天线(8)，其特征在于，在沉积所述导体材料之前的步骤中，所述接纳表面(2a)的至少一部分涂覆有接合涂层(6)，所述接合涂层(6)用于在沉积阶段对所述支撑装置进行热保护。 | ||
| 地址 | 法国克拉皮耶尔 | ||