一种抗总剂量辐射效应的倒比例或小比例NMOS管版图结构

摘要

本发明涉及一种抗总剂量辐射效应的倒比例或小比例NMOS管版图结构，其包括半导体基板及有源区；半导体基板的有源区内淀积有多晶栅，有源区内对应淀积形成多晶栅的两端内分别设置源端注入保护环及漏端注入保护环，在源端注入保护环与漏端注入保护环内通过离子注入分别形成源端及漏端；所述源端及漏端均被多晶栅包围，且源端与漏端间通过多晶栅隔离。本发明完全消除了辐射条件下场氧感生反型后引起的漏电和隔离失效问题；同时多晶栅跨越场氧区的边界不再存在对总剂量效应非常敏感的边缘寄生晶体管，达到了总剂量加固的目的；可以实现传统环形栅难以实现的倒比例或小比例加固NMOS管，结构简单，与商用工艺兼容，占用面积小，版图布线也更方便与灵活。

主权项

一种抗总剂量辐射效应的倒比例NMOS管版图结构，包括半导体基板及位于所述半导体基板上的有源区（1）；所述半导体基板的有源区（1）内淀积有多晶栅（2），其特征是：所述有源区（1）内对应淀积形成多晶栅（2）的两端内分别设置源端注入保护环及漏端注入保护环，在所述源端注入保护环与漏端注入保护环内通过离子注入分别形成源端（3）及漏端（15）；所述源端（3）及漏端（15）均被多晶栅（2）包围，且源端（3）与漏端（15）间通过多晶栅（2）隔离；所述多晶栅（2）呈条形，多晶栅（2）的一端设置栅极引出端（19），所述栅极引出端（19）延伸有源区（1）外，且栅极引出端（19）对应于与多晶栅（2）相连的另一端设置栅极接触孔（4）。