半导体制造腔室中的环组件

摘要

本实用新型大体上关于半导体制造腔室中的环组件，其可用于蚀刻或其他等离子体处理腔室。该环组件大体上包括内环与外环，该外环配置在该内环径向的外侧。该内环对应使用期间主要侵蚀发生的位置。此内环可翻动(flip)并且再使用，直到双侧已受侵蚀超出其服务寿命为止。集体而言，该两个环大体上具有单片环的形状，但该环组件的服务寿命比传统单片环长。

主权项

一种半导体制造腔室中的环组件，包含： 外环主体，在所述外环主体的内侧表面上具有凹口，其中所述凹口具有顶壁，所述顶壁从所述内侧表面向外延伸； 顶部表面与大体上平行于所述顶部表面的底部表面； 外侧表面，在所述顶部表面与所述底部表面之间延伸； 第一环状延伸部，从所述底部表面沿远离所述顶部表面的方向及从与所述外侧表面隔开的位置延伸； 第二环状延伸部，从所述底部表面沿远离所述顶部表面的方向延伸，所述第二环状延伸部邻接所述内侧表面；以及 第三环状延伸部，从所述外环主体沿远离所述外侧表面的方向延伸，所述第三环状延伸部形成所述凹口的所述顶壁。