一种具有微结构增透膜的高压LED芯片

摘要

本实用新型属于半导体发光器件制造领域，具体涉及一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，其结构包括蓝宝石衬底、缓冲层、N型层、量子阱层、P型层、P型层上的电极、N型层上的电极、连接桥、ITO层以及覆盖在ITO层上的带有圆柱状微结构的增透膜。本实用新型能有效减少LED出光时的反射损耗，同时通过微结构减少由芯片到空气中的光线全反射。同时增透膜本身能抑制芯片本身潮气和杂质的扩散，起到最终的保护作用。

主权项

一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，包括多个发光单元，每个发光单元从下至上依次包括宝石衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)、量子阱层(4)、P型层(5)和ITO层(6)，每个发光单元还包括P型层上的电极(7)和N型层上的电极(8)，相邻发光单元之间的电极通过连接桥(9)连接，其特征在于每个发光单元还包括覆盖在ITO层上的增透膜(10)，位于ITO层(6)上方的增透膜顶面具有圆柱状微结构。