发明名称 抗工艺涨落的自修调集成电路片上振荡器
摘要 本发明公开了一种抗工艺涨落的自修调集成电路片上振荡器,包括集成于同一芯片的用于产生基准脉冲的基准振荡单元,用于产生输出脉冲的待修调振荡单元,以及用于接收基准脉冲和输出脉冲,并根据接收到的基准脉冲和输出脉冲向待修调振荡单元发出相应的修调信号,控制待修调振荡单元对输出脉冲进行频率修调的自修调逻辑控制单元。由可片内集成的基准振荡单元提供频率调修所需的基准脉冲,并在修调完成后关闭基准振荡单元,实现了输出频率的片内自修调,避免片外修调,有利于降低芯片制备成本。且硬件结构简单,容易实现,并在不修调时,关闭基准振荡单元,降低芯片的功耗。
申请公布号 CN103391045A 申请公布日期 2013.11.13
申请号 CN201310326307.6 申请日期 2013.07.30
申请人 浙江大学 发明人 韩雁;孙俊;刘晓鹏;曹天霖
分类号 H03B5/04(2006.01)I;H03K3/011(2006.01)I;H03L1/00(2006.01)I 主分类号 H03B5/04(2006.01)I
代理机构 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人 胡红娟
主权项 一种抗工艺涨落的自修调集成电路片上振荡器,其特征在于,包括集成于同一芯片的:基准振荡单元,用于产生基准脉冲;待修调振荡单元,用于产生输出脉冲;自修调逻辑控制单元,用于接收基准脉冲和输出脉冲,并根据接收到的基准脉冲和输出脉冲向待修调振荡单元发出相应的修调信号,控制待修调振荡单元对输出脉冲进行频率修调。
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