| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧的栅极侧墙结构、栅极堆叠结构和栅极侧墙结构两侧的衬底中的源漏区，其特征在于：栅极侧墙结构中包括至少一个由空气填充的栅极侧墙空隙。依照本发明的半导体器件及其制造方法，采用碳基材料形成牺牲侧墙，刻蚀去除牺牲侧墙之后形成了空气隙，有效降低了侧墙的整体介电常数，因而降低了栅极侧墙寄生电容，提高了器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103390644A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201210139862.3 | 申请日期 | 2012.05.08 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;张珂珂 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧的栅极侧墙结构、栅极堆叠结构和栅极侧墙结构两侧的衬底中的源漏区，其特征在于：栅极侧墙结构中包括至少一个由空气填充的栅极侧墙空隙。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||