发明名称 功率半导体模块
摘要 本发明描述了一种功率半导体模块,其具有衬底、壳体和在所述壳体内部的、至少一个第一接触元件以及至少一个第二接触元件,第一接触元件带有至少一个配属于该接触元件的支承部。第一接触元件由具有至少一个第一层和至少一个绝缘层的交替层序列所布置而成,并且第一接触元件具有至少一个第一接触区段,用于与第二接触元件进行触点接通。第二接触元件具有至少一个布置于功率半导体模块内部的、用于与第一接触区段进行触点接通的第二接触区段以及至少一个穿过壳体的外侧进行伸展的、用于对外进行触点接通的第三接触区段。其中,壳体具有配属于第二接触元件的第三接触区段的伸展到壳体的外侧的穿引部。在第一接触元件的第一接触区段与第二接触元件的第二接触区段之间构成有空腔,导电的填充物位于该空腔中。
申请公布号 CN101651123B 申请公布日期 2013.11.13
申请号 CN200910160922.8 申请日期 2009.07.24
申请人 赛米控电子股份有限公司 发明人 马库斯·克内贝尔
分类号 H01L23/48(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/02(2006.01)I;H01L23/10(2006.01)I 主分类号 H01L23/48(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 车文;樊卫民
主权项 功率半导体模块(1),具有衬底(10)、壳体(3)和在所述壳体(3)内部的至少一个第一接触元件(6)以及至少一个第二接触元件(4),所述第一接触元件(6)带有至少一个配属于所述接触元件的支承部(32),其中,所述第一接触元件(6)由具有至少一个第一层(60、64)和至少一个绝缘层(62)的交替的层序列来布置而成,并且其中,所述第一接触元件(6)具有至少一个第一接触区段(68),用于与所述第二接触元件(4)进行触点接通,并且其中,所述第二接触元件(4)具有至少一个布置于所述功率半导体模块的内部的第二接触区段(40),用于与所述第一接触区段(68)进行触点接通,以及具有至少一个穿过所述壳体的外侧(36)进行伸展的第三接触区段(42),用于对外进行触点接通,其中,所述壳体具有配属于所述第二接触元件(4)的所述第三接触区段(42)的、伸展到所述壳体的所述外侧(36)的穿引部(34),并且其中,在所述第一接触元件(6)的所述第一接触区段(68)与所述第二接触元件(4)的所述第二接触区段(40)之间构成有空腔(5),导电的填充物(50)位于所述空腔(5)中。
地址 德国纽伦堡