发明名称 |
半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。第一布线(13)沿着衬底(SB1)的槽部设置在槽部的底面上,并具有第一膜厚。第二布线(3)与第一布线(13)电连接,并具有比第一膜厚厚的第二膜厚。加速度检测部(EL)与第二布线(3)电连接。密封部(6S)具有与衬底(SB1)之间夹持第一布线(13)的部分,在衬底(SB1)上包围第二布线(3)及加速度检测部(EL)。盖层(10)以在衬底(SB1)上的被密封部(6S)包围的区域上形成腔(CV)的方式设置在密封部(6S)上。由此,确保腔(CV)的气密性和降低与加速度检测部(EL)连接的布线的电阻可以并存。 |
申请公布号 |
CN102064142B |
申请公布日期 |
2013.11.13 |
申请号 |
CN201010511012.2 |
申请日期 |
2008.09.11 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
佐藤公敏;奥村美香;山口靖雄;堀川牧夫 |
分类号 |
H01L23/31(2006.01)I;G01P15/125(2006.01)I;G01P1/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/31(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
何立波;张天舒 |
主权项 |
一种半导体装置,具备:衬底;设置在上述衬底上的布线;图形,由与上述布线相同的材质构成,在上述衬底上与上述布线隔开间隔夹持上述布线;设置在上述衬底上并与上述图形电隔离、且与上述布线电连接的元件;具有与上述衬底之间分别夹持上述布线及上述图形的部分并且在上述衬底上包围上述元件的构件;以在上述衬底上的被上述构件包围的区域上形成腔的方式设置在上述构件上的盖层。 |
地址 |
日本东京都 |