| 发明名称 | 铜互连结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种铜互连结构及其形成方法，其中，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成结构层，所述结构层包括：低K介质层、位于所述低K介质层内的沟槽以及位于所述沟槽内的阻挡层及金属铜层；刻蚀所述结构层，以在所述结构层上形成凹槽；在所述结构层上形成介质盖帽层，所述介质盖帽层通过所述凹槽与所述结构层卡和。通过在结构层上形成凹槽，使得介质盖帽层通过所述凹槽与所述结构层卡和，即通过物理上的卡和使得所述介质盖帽层与所述结构层紧密连接，即提高介质盖帽层与金属铜层之间的附着力，避免铜元素扩散进入低K介质层中，提高器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN103390576A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201210142957.0 | 申请日期 | 2012.05.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邓浩 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种铜互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成结构层，所述结构层包括：低K介质层、位于所述低K介质层内的沟槽以及位于所述沟槽内的阻挡层及金属铜层；刻蚀所述结构层，以在所述结构层上形成凹槽；在所述结构层上形成介质盖帽层，所述介质盖帽层通过所述凹槽与所述结构层卡和。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||