发明名称 |
绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法 |
摘要 |
本发明涉及一种SOI MOS器件动态击穿电压的测试方法,包括先后对漏极施加逐渐递增的漏极电压循环进行击穿测试的步骤,其中击穿测试包括:步骤A,对栅极施加电压Vg,量测漏极电流;步骤B,判断当前漏极电流是否是第一漏极电流前值的a1倍以上,若是,则将当前漏极电压作为动态击穿电压进行记录,结束测试;否则执行步骤C;步骤C,判断当前漏极电流是否在第二漏极电流前值的1/a2以下,若是,则将当前漏极电压作为烧毁电压进行记录,结束测试;否则执行步骤D;步骤D,判断Vg是否达到上限,若是,则进入下一漏极电压下的击穿测试循环,否则将当前Vg增大后返回步骤A。本发明能够准确测得烧毁电压,准确地反映器件对电压的承受能力。 |
申请公布号 |
CN103389443A |
申请公布日期 |
2013.11.13 |
申请号 |
CN201210140914.9 |
申请日期 |
2012.05.07 |
申请人 |
无锡华润上华科技有限公司 |
发明人 |
连晓谦;陈寒顺;凌耀君 |
分类号 |
G01R31/12(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I |
主分类号 |
G01R31/12(2006.01)I |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 |
代理人 |
邓云鹏 |
主权项 |
一种绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法,包括先后对所述MOS器件的漏极施加漏极电压Vd1、Vd2、Vd3、......、Vdmax循环进行击穿测试的步骤,其中Vd1、Vd2、Vd3、......、Vdmax逐渐递增,所述击穿测试包括下列步骤:步骤A,对所述MOS器件的栅极施加电压Vg,量测所述MOS器件的漏极电流;步骤B,判断当前的漏极电流是否是第一漏极电流前值的a1倍以上,若是,则将当前施加的所述漏极电压作为动态击穿电压进行记录,结束测试;否则执行步骤C;步骤C,判断所述当前的漏极电流是否在第二漏极电流前值的1/a2以下,若是,则将当前施加的所述漏极电压作为烧毁电压进行记录,结束测试;否则执行步骤D;步骤D,判断Vg是否达到测试值上限,若是,则跳出当前漏极电压下的击穿测试循环,进入下一漏极电压下的击穿测试循环,否则将当前的Vg增大后返回步骤A;所述第一漏极电流前值是指前一漏极电压下的、且Vg与当前相同时测得的漏极电流,所述第二漏极电流前值是指前一Vg下的漏极电流。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 |