半导体装置及其制造方法

摘要

知的转移技术在分离层具有低分离效率且成本高。;本发明的特征在于：在形成于设于第二半导体基板上的分离层上之半导体层中，形成多个第二积体电路，第二积体电路的晶片尺寸系小于设于第一基板上的第一积体电路的晶片尺寸，对每一个第二积体电路至少分离半导体层，以使分离层的端面是倾斜或弯曲的，第一半导体基板系接合至第二半体基板，并且，接合结构沿着分离层而被分离。