半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括一半导体基板，其具有一源极区和一汲极区，上述半导体基板系定义从上述源极区至上述汲极区的一第一尺寸；一闸极堆叠结构，设置于上述半导体基板上，且水平地部分介于上述源极区和上述汲极区之间。上述闸极堆叠结构包括一第一金属物，设置于上述高介电常数介电层上，上述第一金属物具有一第一功函数且定义平行于上述第一尺寸的一第二尺寸；一第二金属物，其具有不同于上述第一功函数的一第二功函数且定义平行于上述第一尺寸的一第三尺寸，上述第三尺寸小于上述第二尺寸。