| 摘要 |
一种具有半导体层序列(1)及第一电性接触层(4)之光电半导体本体，该半导体层序列包括适于产生电磁辐射之主动层(100)。该光电半导体本体系设置用于自前侧(2)发射电磁辐射。该半导体层序列(1)包括至少一个开口(110)，该开口(110)于自前侧(2)至相对于该前侧(2)之背侧(3)之方向上完全穿透该半导体层序列(1)。该第一电性接触层(4)系配置于该半导体本体之背侧(3)，该第一电性接触层(4)的区段(40)自该背侧(3)延伸穿过该开口(110)到达该前侧(2)，并且覆盖该半导体层序列(1)之前侧主要面(10)之第一次要区域(11)。该第一电性接触层(4)并未覆盖该前侧主要面(10)之第二次要区域(12)。 |
