| 摘要 |
本发明系关于一种包括亦可以采取一倒转结构之形式的至少一个沟渠电容器(302)、一柱状电容器之电子装置(300)。在该沟渠电容器中或该柱状电容器上提供至少两个介电层(312、316)与至少两个导电层(314、318)之一交替层序列(308)，所以藉由该至少两个介电层之个别介电层将该至少两个导电层彼此且与基板电性隔离。提供一组内部接触触点(332、334、340)，并且将每个内部接触触点与该等导电层之一个别导电层或与该基板连接。藉由为该等导电层之每个提供一个别内部接触触点，开启一定范围的切换机会，此允许将该电容器之比电容调谐至一所需值。本发明之该电子装置因此提供一灵活沟渠电容器制造平台，其用于导电层彼此之间的大量组合，或当使用多个沟渠时，不同沟渠电容器的导电层之间的组合。诸如一电荷帮浦电路或一直流至直流电压转换器之晶片上应用要求受益于可以采用本发明之该电子装置达到的极高电容密度与高崩溃电压。 |
