利用原位埋覆奈米层以改善机械特性之低Ｋ值介电质化学气相沉积薄膜形成制程

摘要

一种具有约3.0或更低之有效介电常数的低k介电堆叠层(low k dielectric stack)，其中，该堆叠层的机械性质可藉着在该介电堆叠层中导入至少一奈米层而获得改善。在不显着提高该堆叠层中之该等薄膜之介电常数，且无需对该介电堆叠层做任何后续处理步骤的情况下，即可达到机械性质的改善。更明确而言，本发明提供一种低k介电堆叠层，其包含至少一低k介电材料，以及至少一层存在于该至少一低k介电材料中的奈米层。