高介电常数上盖阻障介电层之能隙工程矽－氧化矽－氮化矽－氧化矽－矽与金属－氧化矽－氮化矽－氧化矽－矽装置 HIGH-Κ

摘要

一种具有经处理之阻障介电层的电荷捕捉记忆胞，包括一电荷捕捉元件，电荷捕捉元件与闸极系经由阻障介电层隔开，该阻障介电层包括与电荷捕捉元件接触之缓冲层以及与闸极及通道之一者接触之第二上盖层，其中缓冲层可包括二氧化矽，且其具有高品质。上盖层之介电常数系大于第一层之介电常数，且其较佳系包括高介电常数之材料。第二层亦包括相对高的传导带补偿。若配合上多层阻障介电层，介于通道与电荷捕捉元件之间的能隙工程穿隧层可利用电洞穿隧来提供高速抹操作。于其他实施例中，可使用单层穿隧层。