发明名称 形成画素结构之方法
摘要 一种形成画素结构之方法,此方法利用第一导电层形成扫描线与资料线段,利用第二导电层形成源极电极、汲极电极与共同电极,并利用透明导电层,以形成画素电极与连接层,其同电极部分重叠于扫描线与资料线段,而连接层透过介电层之开口而电连接源极电极与资料线段。据此,本发明仅需利用五道光罩即可制作出屏蔽位于资料线上方之画素结构,以大幅提升画素结构之开口率。
申请公布号 TWI414866 申请公布日期 2013.11.11
申请号 TW098140584 申请日期 2009.11.27
申请人 友达光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 发明人 施明宏;刘竹育;吴宙秦;陈怡君;万仁文
分类号 G02F1/136 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人 郭晓文 台北市文山区罗斯福路6段407号4楼
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号