半导体装置及半导体装置之制造方法

摘要

本发明系于半导体基板(1)之表面形成研磨粒痕(62)，且掺杂物扩散区域(3、5)具有向与研磨粒痕(62)之延长方向所成之角度在-5°~+5°之范围内所包含的方向延长之部份之半导体装置及该半导体装置之制造方法。