| 摘要 |
本发明系关于一种薄膜电晶体，系包含：基板；缓冲层，系位于此基板上；半导体层，系位于此缓冲层上，此半导体层系具有：通道区；及第一掺杂区与第二掺杂区，系位于此通道区之两侧；此半导体层之边缘部分，系呈锥形，此锥形之锥角系位于半导体层之侧面与底面之间且此锥角大约介于1°至30°之间；闸极绝缘层，系位于此半导体层上；闸极，系位于此半导体层上方的闸极绝缘层上；钝化层，系位于闸极上，此钝化层具有源极孔与汲极孔，藉以分别曝露出第一掺杂区与第二掺杂区；源极与汲极，系位于此钝化层上，其中源极可透过此源极孔与第一掺杂区相连，而汲极可透过汲极孔与第二掺杂区相连。 |
