制造具有蚀刻终止层之金属氧化物薄膜电晶体阵列的制程

摘要

本发明大致关于TFTs以及制造TFTs的方法。TFT的主动通道可包含一或多个选自由锌、镓、锡、铟以及镉所组成之群组的金属。主动通道亦包含氮与氧。为了在源极-汲极图案化期间保护主动通道，可在主动层上沉积蚀刻终止层。蚀刻终止层防止主动通道暴露在用于定义源极与汲极的电浆中。当湿蚀刻用于主动通道的主动材料层时，蚀刻终止层与源极与汲极可作为遮罩。