发明名称 光电半导体晶片
摘要 一种光电半导体晶片(1),包括:半导体层序列(2),其具有一活性区(4)以产生电磁辐射,以及一结构化之电流扩散层(6),其包含透明的导电氧化物且配置在该半导体层序列(2)之主面(12)上,其中该电流扩散层(6)覆盖该主面(12)之至少30%且最多覆盖60%。
申请公布号 TWI415297 申请公布日期 2013.11.11
申请号 TW098124990 申请日期 2009.07.24
申请人 欧斯朗奥托半导体股份有限公司 德国 发明人 何佩 鲁兹;萨巴席 马提亚
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项
地址 德国