发明名称 使用衬垫层以防止金属导线受到伤害之方法
摘要 本发明揭露一种制造一半导体装置及其制造方法,包括提供一多层堆叠结构,该多层堆叠结构包含一绝缘基底层、一底阻障层、一顶阻障层、及一介于该底阻障层与顶阻障层之间的导电层,蚀刻该多层堆叠结构以提供复数个金属导线,每一该金属导线自该底阻障层延伸且具有自所蚀刻之顶阻障层形成的一覆盖顶阻障层,其中该底阻障层系被部分蚀刻以在每一导电线间形成一连接区域,形成一衬垫层于被蚀刻之多层堆叠结构上及裸露出该连接区域,以及蚀刻该衬垫层且移除该裸露的连接区域以形成复数条导线。
申请公布号 TWI415221 申请公布日期 2013.11.11
申请号 TW098145343 申请日期 2009.12.28
申请人 旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 发明人 韦国梁;余旭昇;李鸿志
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 李贵敏 台北市内湖区民权东路6段109号2楼之1
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号