非挥发性半导体记忆装置用的分页缓冲电路及其控制方法

摘要

分页缓冲电路14连接非挥发性记忆体阵列10，在既定分页单位的资料写入及读出记忆单元阵列10时，将资料暂时地储存，该分页缓冲电路14中对于复数条位元线，设有包含1个位元线选择器14s、含2个拴锁L1、L2的分页缓冲单元电路14u、及拴锁L3的至少1个拴锁电路14v-1。位元线选择器14s选择上述复数条位元线(bit line)中的1条，连接至上述分页缓冲单元电路14u，拴锁L1暂时地储存从被选择的位元线的记忆单元读出的资料，并透过拴锁L2或L3输出，另一方面，上述拴锁L1将透过拴锁L2或L3输入的写入资料暂时储存后，输出至被选择的位元线的记忆单元进行写入。