用以形成自我对准金属矽化物接点的方法

摘要

所揭示的为一种用以在以一外露的介电区域而彼此分隔之至少二含矽半导体区域上方形成可自我对准之矽化金属接点的方法。较佳是，每一所形成之该些可自我对准之矽化金属接点包含至少矽化镍和矽化铂并具有一实质平坦的表面，且该外露的介电区域系实质不含金属和矽化金属。更佳是，所揭示方法包含以下步骤：镍或镍合金之沉积、低温硬化、镍蚀刻、高温硬化及王水蚀刻。