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发明名称
半导体记忆体
摘要
一种半导体记忆体包括一条连接到一记忆体胞元之电晶体的字线;一个被构筑来作动该字线的字驱动器;一个被构筑来根据该字线之作动来把该字线连接到一低位准电压线且在该字线之作动周期中之第一周期逝去之后解除该连接的第一电阻部份;一个被构筑来在该作动周期中之第二周期中把该字线连接到一高位准电压线的第二电阻部份;及一个被构筑来在该第二周期中把该字线连接到该低位准电压线的第三电阻部份,该第三电阻部份的电阻是比该第一电阻部份的电阻高,其中,在该第二周期中该字线的高位准电压是比该高位准电压线的高位准电压低。
申请公布号
TWI415126
申请公布日期
2013.11.11
申请号
TW098118918
申请日期
2009.06.06
申请人
富士通半导体股份有限公司 日本
发明人
儿玉刚
分类号
G11C11/413
主分类号
G11C11/413
代理机构
代理人
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项
地址
日本
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