半导体制造装置之保护方法、半导体制造装置以及半导体制造方法

摘要

本发明，系为提供一种：不需进行构件之交换，而可将构件再生，并可以抑制晶圆之污染的半导体制造装置之保护方法、半导体制造装置以及半导体制造方法。本发明之半导体制造装置之保护方法，系包含有以下步骤：在被设置有于基材上被被覆有第1之SiC膜的构件3、5a、5b，而用以在晶圆1上形成Si磊晶膜的反应炉2内，当反覆进行制程时，在第1SiC膜之至少一部份已昇华的构件之表面，形成第2SiC膜之步骤。