| 摘要 |
Светоизлучающая структура на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlInGaN (0≤x≤1, 0≤y≤1) с p-n переходом, содержащая подложку из искусственного сапфира (AlO), буферный слой, выполненный из нелегированного нитрида галлия (u-GaN), слой нитрида галлия n-типа проводимости, легированный кремнием (n-GaN), активную область, состоящую из множественных квантовых ям на основе твердого раствора InGaN/GaN, слой твердого раствора AlGaN p-типа проводимости (AlGaN), слой нитрида галлия p-типа проводимости, легированного магнием (p-GaN), отличающаяся тем, что на поверхности используемой подложки из искусственного сапфира нанесены (изготовлены) текстуры в виде регулярной системы неоднородностей в форме усеченного конуса, величина же диаметра основания конуса лежит в пределах от 2,2 мкм до 2,6 мкм, диаметр вершины конуса лежит в пределах от 0,1 мкм до 0,3 мкм, высота неоднородностей лежит в пределах от 1,4 мкм до 1,8 мкм, расстояние между неоднородностями лежит в пределах от 0,2 мкм до 0,3 мкм. |
