| 摘要 |
1. Фоточувствительный прибор с зарядовой связью, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, область подложки с объемным каналом переноса второго типа проводимости в приповерхностной части полупроводниковой подложки первого типа проводимости, области стоп - диффузии с высокой концентрацией примеси первого типа проводимости в приповерхностной области подложки, ограничивающие по периметру область канала переноса, слой подзатворного диэлектрика на поверхности подложки, обеспечивающую перенос заряда, фоточувствительную область первого типа проводимости в приповерхностной области подложки внутри области объемного канала переноса второго типа проводимости, имеющую область перекрытия с областью стоп - диффузии с образованием в этой области перекрытия омического контакта, причем область объемного канала переноса второго типа проводимости под обеспечивающей перенос заряда фоточувствительной областью имеет меньшую по величине концентрацию примеси, чем эта фоточувствительная область, первый и второй затворы переноса, изолированные друг от друга слоем диэлектрика межслойной изоляции и расположенные на подзатворном диэлектрике над областью подложки с объемным каналом переноса второго типа проводимости таким образом, что первый затвор переноса с одной стороны расположен рядом с обеспечивающей перенос заряда фоточувствительной областью на расстоянии, обеспечивающем с ней зарядовую связь, а с другой стороны рядом со вторым затвором переноса на расстоянии, обеспечивающем с ним зарядовую связь, отличающийся тем, что в полупроводниковой подложке первого типа проводимости в ее при� |
