| 摘要 |
Полупроводниковый инжекционный генератор на основе гетероструктуры АВ, содержащий активный слой на основе InP, отличающийся тем, что активный слой находится между расположенными с одной стороны двумя выращенными слоями n-тина проводимости и с другой стороны одним выращенным слоем p-типа проводимости, на котором выполнены контактные площадки из драгоценного электропроводного металла. |
