发明名称 Halbleitergehäuse und Verfahren zu seiner Herstellung
摘要 <p>In einer Ausführungsform weist ein Halbleitergehäuse einen Halbleiterchip (20) mit einem ersten Kontaktbereich auf einer ersten Hauptoberfläche und einem zweiten Kontaktbereich auf einer gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche auf. Der Halbleiterchip (20) ist zum Regulieren eines Stromflusses von dem ersten Kontaktbereich zu dem zweiten Kontaktbereich eingerichtet. Ein Einkapselungsmittel (50) ist an dem Halbleiterchip (20) angeordnet. Ein erster Kontaktpfropfen ist in dem Einkapselungsmittel (50) angeordnet und mit dem ersten Kontaktbereich verbunden. Eine leitfähige Schicht auf einer zweiten Seite ist unter der zweiten Hauptoberfläche angeordnet und mit dem zweiten Kontaktbereich verbunden. Eine Durchkontaktierung ist in dem Einkapselungsmittel (50) angeordnet und mit der leitfähigen Schicht auf der zweiten Seite verbunden. Der erste Kontaktpfropfen und die Durchkontaktierung bilden Anschlüsse über der ersten Hauptoberfläche zum Kontaktieren des Halbleitergehäuses.</p>
申请公布号 DE102013104337(A1) 申请公布日期 2013.11.07
申请号 DE201310104337 申请日期 2013.04.29
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 FUERGUT, EDWARD;NIKITIN, IVAN
分类号 H01L21/50;H01L21/304;H01L23/28;H01L23/34;H01L23/482;H01L23/50;H01L25/07;H01L27/092;H01L29/78 主分类号 H01L21/50
代理机构 代理人
主权项
地址