摘要 |
<p>Leistungsverteilungssystem oder Stromverteilungssystem (20) eines Flugzeuges (10) mit einer aktiven Transistor-Klemmschaltung (200) als Leistungsverteilungsschalter (32), wobei die aktive Transistor-Klemmschaltung (200) einen Metalloxid-Feldeffekt-Halbleitertransistor (110) mit Source(S)-, einem Gate(G)- und einem Drain(D)-Anschluss aufweist und bei der dann, wenn die Spannung zwischen Drain(D)- und Source(S)-Anschluss eine Schwellenspannung überschreitet, der Transistor (110) eingeschaltet wird, wodurch Strom- bzw. Leistung durch den Transistor (110) fließt und eine übermäßige Drain(D)-Source(S)-Spannung verhindert wird; und wobei zwischen den Gate(G)- und den Drain(D)-Anschluss des Metalloxid-Feldeffekt-Halbleitertransistors (110) eine bidirektionale TVS-Überspannungsschutz-Diode (120) geschaltet ist, und die aktive Transistor-Klemmschaltung keine Gleichrichterdioden aufweist.</p> |