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In einem Bereich zwischen einer Kollektorelektrode (18) und einem Halbleitersubstrat (1) gibt es einen Bereich, in dem ein Hohlraum (4) angeordnet ist, und einen Bereich, in dem kein Hohlraum angeordnet ist. Zwischen der Kollektorelektrode (18) und dem Bereich, in dem kein Hohlraum in dem Halbleitersubstrat (1) angeordnet ist, ist eine potentialfreie Siliziumschicht (21) gebildet, die durch Isolierschichten (2, 20, 17) elektrisch isoliert ist.
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