| 摘要 |
Bereitstellung eines Substrats mit einem leitenden Film für einen EUV-Maskenrohling, das einen leitenden Film mit einem niedrigen Flächenwiderstand, einer hervorragenden Oberflächenglätte und einem hervorragenden Kontakt mit einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung aufweist, und mit dem eine Verformung des Substrats durch die Filmspannung in einem EUV-Maskenrohling unterdrückt werden kann. Ein Substrat mit einem leitenden Film, das zur Herstellung eines Reflexionsmaskenrohlings für eine EUV-Lithographie verwendet werden soll, umfassend einen auf einem Substrat ausgebildeten leitenden Film, wobei der leitende Film mindestens zwei Schichten aus einer Schicht (untere Schicht), die auf der Substratseite ausgebildet ist, und einer Schicht (obere Schicht), die auf der unteren Schicht ausgebildet ist, aufweist, und die untere Schicht des leitenden Films Chrom (Cr), Sauerstoff (O) und Wasserstoff (H) enthält, und die obere Schicht des leitenden Films Chrom (Cr), Stickstoff (N) und Wasserstoff (H) enthält. |
