发明名称 成型电路部件的制造方法
摘要 本发明中,代替化学蚀刻剂,照射激光而将基体的表面粗化,由此确保与非电解镀层之间的充分的密合强度。本发明具备下述工序:第1工序,将基体1成型;第2工序,照射第1激光2而将该基体的表面粗化或仅将该表面中成为电路的部分1a粗化;第3工序,向该基体的表面赋予催化剂3;第4工序,使该基体干燥;第5工序,向不成为电路的部分1b照射第2激光4,使该不成为电路的部分的催化剂的功能降低或消失;第6工序,对该成为电路部分的部分施以非电解镀层。
申请公布号 CN102471889B 申请公布日期 2013.11.06
申请号 CN201080030924.6 申请日期 2010.07.06
申请人 三共化成株式会社 发明人 汤本哲男
分类号 C23C18/20(2006.01)I;H05K3/00(2006.01)I;H05K3/10(2006.01)I;H05K3/18(2006.01)I 主分类号 C23C18/20(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 钟晶;於毓桢
主权项 一种成型电路部件的制造方法,其特征在于,具备下述工序:第1工序,将由绝缘材料制成的基体成型,第2工序,照射第1激光而仅将所述基体的表面中成为电路的部分粗化,第3工序,将所述基体浸渍在催化剂液中,向该基体的表面赋予用于非电解镀层的催化剂,第4工序,使所述基体的表面干燥,使所述催化剂固定在该基体的表面上,第5工序,向作为所述基体的表面的、不成为电路的部分照射第2激光,使固定于该不成为电路的部分的所述催化剂的功能降低或消失,第6工序,向作为所述基体的表面的、所述成为电路的部分施以非电解镀层,在所述第5工序中,以从所述成为电路的部分的周缘向着该成为电路的部分的内侧重叠规定宽度的方式照射所述第2激光,防止在通过所述第1激光的照射而粗化后的成为电路的部分的周缘处产生未照射该第1激光而未被粗化、且未照射所述第2激光的部分。
地址 日本东京都