| 发明名称 | 一种低K介质阻挡层及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种低K介质阻挡层及其形成方法，其中，所述方法包括：提供具有低K介质层的衬底；在所述低K介质层上形成低K介质阻挡层，所述低K介质阻挡层包括碳硼化合物层，所述碳硼化合物层通过无氧等离子体工艺形成。通过所述低K介质阻挡层包括碳硼化合物层，所述碳硼化合物层通过无氧等离子体工艺形成，由此，避免了现有工艺中氧气等离子体工艺形成低K介质阻挡层，从而造成对低K介质层的损伤的问题，进而提高了半导体工艺的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN103383922A | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN201210137455.9 | 申请日期 | 2012.05.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，包括：提供具有低K介质层的衬底；在所述低K介质层上形成低K介质阻挡层，所述低K介质阻挡层包括碳硼化合物层，所述碳硼化合物层通过无氧等离子体工艺形成。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||