发明名称 |
具有贯穿芯片连接的前端处理晶片 |
摘要 |
一种方法,包括在器件支承半导体晶片中形成过孔,使器件支承半导体晶片中的至少一些过孔导电,以及对器件支承半导体晶片进行后端处理,以便在导电过孔和金属化层之间建立电连接。一种替代的方法,包括在器件支承半导体晶片中形成过孔,使器件支承半导体晶片中的至少一些过孔导电,以及处理器件支承半导体晶片,以便在导电过孔和传导半导体层之间建立电连接。 |
申请公布号 |
CN101663742B |
申请公布日期 |
2013.11.06 |
申请号 |
CN200780047912.2 |
申请日期 |
2007.12.28 |
申请人 |
丘费尔资产股份有限公司 |
发明人 |
约翰·特雷扎 |
分类号 |
H01L21/4763(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/4763(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王波波 |
主权项 |
一种处理半导体晶片的方法,其特征在于,包括:在半导体晶片中形成多个过孔;使所述多个过孔中的至少一些过孔导电;使用与用于使所述多个过中的一些过孔导电的相同的处理,在所述多个过孔之上形成金属化层;以及在形成所述金属化层之后在所述半导体晶片上执行后端处理,在所述后端处理的执行开始之后,但在所述后端处理的执行完成之前,对所述半导体晶片上的器件执行功能测试。 |
地址 |
美国特拉华州 |