发明名称 |
一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法 |
摘要 |
一种接触孔的形成方法,包括:在衬底上形成栅极、侧墙、牺牲侧墙、源区和漏区,所述侧墙环绕所述栅极,所述牺牲侧墙覆盖所述侧墙,所述源区和漏区嵌于所述衬底内并位于所述栅极的两侧;形成层间介质层,并使所述层间介质层暴露所述栅极、侧墙和牺牲侧墙;去除所述牺牲侧墙,以形成接触空间,所述牺牲侧墙材料与所述栅极、侧墙和层间介质层的材料不同;形成导电层,所述导电层填充所述接触空间;断开所述导电层,以形成至少两个导电体,各所述导电体分别接于所述源区或漏区。一种接触孔,所述接触孔和栅极、侧墙均形成于衬底上并嵌入层间介质层中,所述接触孔的侧面接于所述侧墙。还提供了一种半导体器件及其形成方法。均可减少应用的掩模的数目。 |
申请公布号 |
CN102244031B |
申请公布日期 |
2013.11.06 |
申请号 |
CN201010175815.5 |
申请日期 |
2010.05.14 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
钟汇才;梁擎擎 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京市立方律师事务所 11330 |
代理人 |
马佑平 |
主权项 |
一种接触孔的形成方法,其特征在于,包括:在衬底上形成栅极、侧墙、牺牲侧墙、源区和漏区,所述侧墙环绕所述栅极,所述牺牲侧墙覆盖所述侧墙,所述源区和漏区嵌于所述衬底内并位于所述栅极的两侧;形成层间介质层,并使所述层间介质层暴露所述栅极、侧墙和牺牲侧墙;去除所述牺牲侧墙,以形成接触空间,所述牺牲侧墙材料与所述栅极、侧墙和层间介质层的材料不同;形成导电层,所述导电层填充所述接触空间;断开所述导电层,以形成至少两个导电体,各所述导电体分别接于所述源区或漏区;在形成所述牺牲侧墙和层间介质层的步骤之间,还包括:形成辅助侧墙,所述辅助侧墙覆盖所述牺牲侧墙的侧面,所述辅助侧墙材料与所述牺牲侧墙和层间介质层的材料不同。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |