发明名称 | 半导体元件的制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开一半导体元件的制造方法,包括:选择性生长一材料于一基板的一上表面;选择性生长一保护层于该材料上;以及于一蚀刻气体中移除部分该保护层。本发明可完全移除颗粒,而留下应变材料以提高载子迁移率并提升元件效能与产率。 | ||
申请公布号 | CN102237312B | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
申请号 | CN201010534184.1 | 申请日期 | 2010.11.02 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑有宏;陆志诚;游明华;李启弘;李资良 |
分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
主权项 | 一种半导体元件的制造方法,包括:选择性生长一材料于一基板的一上表面;选择性生长一保护层于该材料上,其中该保护层的锗浓度低于该材料的锗浓度;以及于一蚀刻气体中移除部分该保护层。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市 |