一种P型掺杂Zn_xCd_1-xS纳米材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种P型掺杂ZnxCd1-xS纳米材料及其制备方法，本发明采用化学气相沉积法和气-液-固生长机制，在合成过程中原位掺杂Ag、Cu、N、P等元素进行p型掺杂制备p型掺杂ZnxCd1-xS纳米材料，通过调节蒸有10nm金薄膜的硅片的位置，可以得到不同组分的ZnxCd1-xS纳米材料。本发明P型掺杂ZnxCd1-xS纳米材料具有成分可调，电导率可控的特点。

主权项

一种P型掺杂ZnxCd1‑xS纳米材料的制备方法，其特征在于：按ZnxCd1‑xS化学式限定的配比量称取硫化镉粉末、硫化锌粉末和固体掺杂源，0＜x＜1，将硫化锌粉末置于一号瓷舟中，将所述一号瓷舟置于管式炉的加热源处；将硫化镉粉末和固体掺杂源混合研磨后置于二号瓷舟中，将所述二号瓷舟置于管式炉的加热源处且所述二号瓷舟位于一号瓷舟的上游；将蒸金硅片置于加热源下游10‑14cm处，向炉体内通入氩氢混合气体，炉内压强为1.35×103Pa，随后管式炉开始升温，控制加热源处温度为1000℃并保温2小时，自然冷却至室温后得到P型掺杂ZnxCd1‑xS纳米材料；所述固体掺杂源选自Ag2S和/或Cu2S，掺杂量为硫化镉粉末和硫化锌粉末总质量的2‑10%；所述氩氢混合气的流速为30sccm，氩氢气体积比为95：5。