一种电荷补偿半导体装置及其制备方法

摘要

本发明公开了一种电荷补偿半导体装置，通过在窄禁带半导体材料中引入宽禁带半导体材料，并与之形成电荷补偿结构，降低器件的正向导通电阻，提高器件大电流密度下正向导通能力，改善器件的正向导通特性；本发明还提供一种电荷补偿半导体装置的制备方法。

主权项

一种电荷补偿半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；电荷补偿结构，位于衬底层之上，为第一导电类型窄禁带半导体材料和第二导电类型宽禁带半导体材料交替排列构成，或者为第一导电类型窄禁带半导体材料、第二导电类型宽禁带半导体材料和绝缘材料交替排列构成，或者为第一导电类型窄禁带半导体材料、第二导电类型窄禁带半导体材料和第二导电类型宽禁带半导体材交替排列构成，或者为第一导电类型窄禁带半导体材料、第二导电类型窄禁带半导体材料、第二导电类型宽禁带半导体材料和绝缘材料交替排列构成；肖特基势垒结，位于电荷补偿结构半导体材料表面。