一种肖特基器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种肖特基器件，本发明的半导体器件具有沟槽结构的终端，简化了器件的制造流程，并且将结终端延伸结构引入到沟槽结构中，使得器件具有良好反向阻断特性。本发明还提供了一种肖特基器件的制备方法。

主权项

一种肖特基器件，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；沟槽结构，沟槽位于器件边缘漂移层中，沟槽内壁表面有绝缘材料，临靠沟槽侧壁区域设置有第二传导类型半导体材料；肖特基势垒结，位于沟槽结构包裹的漂移层表面。