电气电路的开关装置

摘要

开关装置(10)具有内置了阻止反向电流的肖特基势垒二极管D3的主IGFET(11)、保护开关单元(12)以及保护开关控制单元(13)。保护开关单元(12)连接在主IGFET(11)的漏电极D和栅电极G之间。保护开关控制单元(13)在对主IGFET(11)施加了反向电压时接通保护开关单元(12)。由此，从反向电压来保护主IGFET(11)。

主权项

一种电气电路的开关装置，其具备：主绝缘栅场效应晶体管，其具有：第一导电型漏极区、配置在所述漏极区上且具有暴露面的第二导电型体区、形成在所述体区中且具有暴露面的第一导电型源极区、与所述漏极区欧姆接触的漏电极、与所述源极区欧姆接触且与所述体区肖特基接触的源电极、形成在所述源极区和所述漏极区之间的所述体区的暴露面上的栅极绝缘膜、以及隔着所述栅极绝缘膜与所述体区的暴露面对置的栅电极；保护开关单元，其具有与所述主绝缘栅场效应晶体管的所述漏电极连接的一端、与所述主绝缘栅场效应晶体管的所述栅电极连接的另一端以及控制端子；以及保护开关控制单元，其与所述保护开关单元的所述控制端子连接，且具有如下功能：当在所述漏电极和所述源电极之间施加使所述主绝缘栅场效应晶体管的所述肖特基接触反向偏置的方向的电压时，使所述保护开关单元成为接通状态，该电气电路的开关装置的特征在于，所述保护开关单元具备：第一保护用绝缘栅场效应晶体管，其具有漏电极、源电极、栅电极以及体二极管、且所述源电极与所述主绝缘栅场效应晶体管的所述漏电极连接；以及第二保护用绝缘栅场效应晶体管，其具有与所述第一保护用绝缘栅场效应晶体管的漏电极连接的漏电极、与所述主绝缘栅场效应晶体管的所述栅电极连接的源电极、栅电极以及体二极管，所述保护开关单元的所述一端是所述第一保护用绝缘栅场效应晶体管的所述源电极，所述保护开关单元的所述另一端是所述第二保护用绝缘栅场效应晶体管的所述源电极，所述保护开关单元的所述控制端子是所述第一保护用绝缘栅场效应晶体管的所述栅电极和所述第二保护用绝缘栅场效应晶体管的所述栅电极，所述开关装置还具有：直流电源，其具有一端以及另一端；第一电源连接导体，其将所述主绝缘栅场效应晶体管的所述漏电极与所述直流电源的所述一端连接；以及第二电源连接导体，其将所述主绝缘栅场效应晶体管的所述源电极与所述直流电源的所述另一端连接，所述保护开关控制单元具有：电阻，其连接在所述第一保护用绝缘栅场效应晶体管的源电极和栅电极之间；逆流阻止二极管，其连接在所述第一保护用绝缘栅场效应晶体管的栅电极和所述第二保护用绝缘栅场效应晶体管的栅电极之间；以及导体，其将所述第二保护用绝缘栅场效应晶体管的栅电极与所述第二电源连接导体连接。