| 发明名称 | 半导体装置及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置及其制备方法，该半导体装置包含一基材、一绝缘层、一非掺杂硅层，以及一硅材料。基材包含一掺杂区。绝缘层形成于基材上。绝缘层可包含与掺杂区对应的一接点孔。非掺杂硅层形成于掺杂区上。硅材料从非掺杂硅层开始填充接点孔。本发明的半导体装置因包含非掺杂硅层，故可避免掺杂扩散到源/漏极区及降低电荷漏失。 | ||
| 申请公布号 | CN103383955A | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN201310152690.8 | 申请日期 | 2013.04.27 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 陈怡荣;苏国辉;林江宏 |
| 分类号 | H01L29/45(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/45(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 赵根喜;吕俊清 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包含：一基材，包含一掺杂区；一绝缘层，形成于该基材，该绝缘层包含与该掺杂区对应的一接点孔；一非掺杂硅层，形成于该掺杂区上；以及一硅材料，从该非掺杂硅层填充该接点孔。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||