| 发明名称 |
一种场效应晶体管 |
| 摘要 |
针对场效应管的控制问题，本实用新型提供一种场效应晶体管，包括铁电基底、沟道层、绝缘栅、门电极、源电极、漏电极，其中，沟道层生长于铁电基底上，绝缘栅位于沟道层上，门电极位于绝缘栅上，且绝缘栅的长度小于沟道层的长度；源电极和漏电极位于沟道层的两端。本实用新型将沟道层生长在铁电基底上，能够实现门电极及基底的双重调控，为新型的场效应管的控制模式提供了方向。 |
| 申请公布号 |
CN203277391U |
申请公布日期 |
2013.11.06 |
| 申请号 |
CN201320245104.X |
申请日期 |
2013.04.25 |
| 申请人 |
金宏伟 |
发明人 |
金宏伟;秦卫东;熊红斌 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种场效应晶体管，包括铁电基底、沟道层、绝缘栅、门电极、源电极、漏电极，其特征在于：所述的沟道层生长于铁电基底上，绝缘栅位于沟道层上，门电极位于绝缘栅上，且绝缘栅的长度小于沟道层的长度；所述的源电极和漏电极位于沟道层的两端。 |
| 地址 |
315175 浙江省宁波市鄞州区学院路899号宁波大红鹰学院机电学院 |
