一种低相噪小步进频综实现方法

摘要

本发明公开了一种低相噪小步进频综实现方法，该方法包括：将恒温晶振的输出作为参考信号输入锁相环系统，并选择一个满足低相噪条件的低通滤波器作为锁相环系统中的低通滤波器；将所述低通滤波器的阶数增加到四阶，并使第四阶的电阻电容乘积与第三阶的电阻电容乘积匹配，且第四阶的电容值大于10倍压控振荡器的压控端寄生电容；调节锁相环系统中锁相环芯片的电荷泵输出电流，直到消除锁相环系统的输出相噪曲线中的相噪鼓包为止，此时将在设定的反馈分频器的反馈分频系数下的输出作为锁相环系统的输出。本发明经过实验验证，可在不用DDS作参考的情况下，不间断的实现2MHz步进，保证相噪平稳过渡。

主权项

一种低相噪小步进频综实现方法，锁相环系统包括锁相环芯片、低通滤波器和压控振荡器，锁相环芯片中包括参考分频器、鉴相器和反馈分频器，其特征在于，所述方法包括：将恒温晶振的输出作为参考信号输入锁相环系统，并选择一个满足低相噪条件的低通滤波器作为锁相环系统中的低通滤波器；将所述低通滤波器的阶数增加到四阶，并使第四阶的电阻电容乘积与第三阶的电阻电容乘积匹配，且第四阶的电容值大于10倍压控振荡器的压控端寄生电容；调节锁相环系统中锁相环芯片的电荷泵输出电流的大小，直到消除锁相环系统的输出相噪曲线中的相噪鼓包为止，此时将在设定的反馈分频器的反馈分频系数下的输出作为锁相环系统的输出；所述低相噪条件，具体包括：锁相环系统的输出相噪曲线稳定的表现出：在低通滤波器的截止频率处没有相噪鼓包，且在低通滤波器的截止频率以内的相噪值比根据锁相环芯片的归一化噪声基底计算出来的理论值相差不超过20dB；所述第四阶的电阻电容乘积与第三阶的电阻电容乘积匹配，具体包括：第四阶的电阻电容乘积是第三阶的电阻电容乘积的1～1.5倍。