发明名称 |
一种制备石墨烯的方法 |
摘要 |
本发明属于无机化合物技术领域,尤其涉及一种以CBr4为源材料利用分子束外延(MBE)或者化学气相沉淀(CVD)等方法直接制备石墨烯的方法。一种制备石墨烯的方法,包括如下步骤:选取适当的材料作为衬底;在衬底表面直接沉积催化剂和CBr4;对沉积所得的样品进行退火处理。相比于其他技术,本发明方法的创新点是可以定量可控地在任意基底上沉积催化剂和CBr4源,催化剂和CBr4源在基底表面发生反应而形成石墨烯。这样可以极大限度地减弱石墨烯生长对基底材料的依赖性,人们可以根据不同的应用背景选择不同的基底材料。 |
申请公布号 |
CN102627274B |
申请公布日期 |
2013.11.06 |
申请号 |
CN201210120753.7 |
申请日期 |
2012.04.23 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
王庶民;龚谦;谢晓明;王海龙;狄增峰;丁古巧;柳庆博 |
分类号 |
C01B31/04(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/04(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
许亦琳;余明伟 |
主权项 |
一种制备石墨烯的方法,包括如下步骤:(1)选取适当的材料作为衬底;(2)在衬底表面直接沉积CBr4和催化剂;所述催化剂为Ga;所述CBr4和催化剂的沉积方式为同时沉积、按任意次序先后沉积或按任意次序交替沉积一次以上,所述各沉积方式中CBr4总的沉积量为3.8E7‑3.8E9分子/μm2,催化剂总的沉积量为1.7E7‑1.7E9原子/μm;(3)对步骤2所得的样品进行退火处理。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |