薄膜晶体管、及具有其的显示装置、和其制造方法

摘要

本发明提供一种电特性优越的薄膜晶体管、以及包括该薄膜晶体管的显示装置、和这些的制造方法。所述薄膜晶体管包括：形成在栅电极上的栅极绝缘膜；形成在栅极绝缘膜上的微晶半导体膜；形成在微晶半导体膜上的一对缓冲层；形成在一对缓冲层上的添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜；形成在添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上的布线，其中，在栅极绝缘膜的一部分或全部或者微晶半导体膜的一部分或全部包含成为供体的杂质元素。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：形成在栅电极上且包含成为供体的杂质元素的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的微晶半导体膜；形成在所述微晶半导体膜上的一对缓冲层；形成在所述一对缓冲层上的添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜；形成在所述添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上的布线；形成在所述布线上的层间绝缘体；以及像素电极，所述像素电极与所述布线中的一个电连接并且形成在所述层间绝缘体上，其中所述杂质元素的由二次离子质量分析法确定的峰值浓度为6×1015atoms/cm3以上且3×1018atoms/cm3以下。