一种用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺方法

摘要

一种用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺方法，包括以下步骤：(1)碱溶液鼓泡：利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除大部分掩膜浆料；(2)纯水喷淋：利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品；(3)碱溶液鼓泡：利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除残留的掩膜浆料；(4)纯水喷淋：利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品；(5)超声波清洗：利用酒精溶液超声，清洗掉硅片表面附着的有机物；(6)纯水喷淋：利用喷淋的方式快速洗去硅片表面上的化学品。与现有普遍采用的用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺相比，本发明可彻底去除硅片表面的掩膜浆料及各种杂质，杜绝了其对后续工艺及最终电池片性能的影响。

主权项

一种用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺方法，所述的掩膜浆料是指硅基太阳能电池硅片制造过程中使用的特定的掩膜浆料，其特征在于包括以下步骤：（1）碱溶液鼓泡：利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除大部分的掩膜浆料,清洗时间为10‑90秒；（2）纯水喷淋：利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品；（3）碱溶液鼓泡：利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除残留的少量掩膜浆料，清洗时间为10‑90秒；（4）纯水喷淋：利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品；（5）超声波清洗：利用酒精溶液超声，清洗掉附着于硅片表面的有机物；（6）纯水喷淋：利用喷淋的方式快速洗去硅片表面上的化学品。